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IPI041N12N3GAKSA1

IPI041N12N3GAKSA1 Transistor N-MOSFET unipolare 120V 120A 300W PG-TO262-3

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Descrizione prodotto

Dettagli

Tipo del transistorN-MOSFET
TecnologiaOptiMOS™ 3
Polarizzazioneunipolare
Tensione drenaggio-fonte120V
Corrente di drenaggio120A
Potenza dissipata300W
CorpoPG-TO262-3
Tensione porta-sorgente±20V
Resistenza nello stato di conduzione4.1mΩ
MontaggioTHT

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