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IRFU120NPBF

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Transistor N-MOSFET unipolare HEXFET 100V 9,1A 39W IPAK

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manufacturer: Infineon (IRF)

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Descrizione prodotto

Dettagli

Tipo del transistorN-MOSFET
TecnologiaHEXFET®
Polarizzazioneunipolare
Tensione drenaggio-fonte100V
Corrente di drenaggio9.1A
Potenza dissipata39W
CorpoIPAK
Tensione porta-sorgente±20V
Resistenza nello stato di conduzione210mΩ
MontaggioTHT
Carico della porta16.7nC

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